في حالة العمل العادي يوصل جهد موجب إلى طرف المجمع C بالنسبة إلى الطرف الباعث E وعندما يكون طرف البوابة على جهد صفر أو سالب بالنسبة للباعث لا يمر تيار في الترانزستور 0 = I_c، وعندما يكون جهد البوابة الباعث V_GE > V_TH أكبر من جهد العتبة للترانزستور يسري تيار في الترانزستور I_c ≠ 0  ويمكن تفسير ذلك فيما يلي: في الشكل (49) عندما يكون جهد البوابة الباعث أعلى من جهد العتبة تعبر الإلكترونات عبر المنطقة -N التي تمثل قاعدة الترانزستور ₁T فتعمل هذه الإلكترونات على إنقاص جهد الحجز للوصلة ( -N - +P) وبذلك يسمح بالمرور للفجوات من +P إلى المنطقة N، وزيادة عبور كل من الإلكترونات والفجوات يعمل على زيادة موصلية الطبقة -N أي نقصان مقاومتها، وتعمل المقاومة R_S على إبقاء التيار المار في الترانزستور T₂ قليل جداً (α = معامل تكبير للتيار أقل من واحد)، ولكن ماذا يحدث إذا زاد التيار المار في الترانزستور T₂؟

شكل (49)

عند زيادة التيار الكلي المار في الترانزستور (I_c) بدرجة كبيرة جدا فإن هذه الزيادة تؤدي إلى زيادة التيارات المارة في الترانزستورين T₁, T₂، فيصبح كلاهما في حالة توصيل وهما يكافئان ثايرستور في حالة توصيل حيث تفقد البوابة القدرة على التحكم في إطفاء الترانزستور، ويتم التغلب على هذا الوضع بالتحكم بمحددات التصنيع ولا مجال لتفصيلها الآن.

يوضح الشكل (50) منحنى خصائص ترانزستور ثنائي القطبية معزول البوابة، عندما يكون الترانزستور IGBT في حالة الوصل يتغير فرق الجهد V_GE بموجب التيار I_c وجهد البوابة الباعث ودرجة الحرارة، ويمثل الجهد V_CE الهبوط في فريق الجهد على الترانزستور في حالة الوصل، وتستخدم هذه القيمة في حساب القدرة التي يبددها الترانزستور فكلما قلت قيمتها قلت القدرة المبددة في الترانزستور، فبمعرفتها نستطيع تحديد حجم المبردات اللازمة لتبريد الترانزستور والمحافظة على حرارة ثابتة لان تغير درجة الحرارة له تأثير على التيار المار في الترانزستور. ويلاحظ من الشكل أن V_CE تزداد مع زيادة التيار المار في الترانزستور وتتناقص مع زيادة V_GE.

شكل (50)