المرجع الالكتروني للمعلوماتية
المرجع الألكتروني للمعلوماتية

علم الفيزياء
عدد المواضيع في هذا القسم 11580 موضوعاً
الفيزياء الكلاسيكية
الفيزياء الحديثة
الفيزياء والعلوم الأخرى
مواضيع عامة في الفيزياء

Untitled Document
أبحث عن شيء أخر
غزوة الحديبية والهدنة بين النبي وقريش
2024-11-01
بعد الحديبية افتروا على النبي « صلى الله عليه وآله » أنه سحر
2024-11-01
المستغفرون بالاسحار
2024-11-01
المرابطة في انتظار الفرج
2024-11-01
النضوج الجنسي للماشية sexual maturity
2024-11-01
المخرجون من ديارهم في سبيل الله
2024-11-01

أمثلة شاملة عن العمليات الرأسمالية والتمويلية وتثبيتها محاسبياً
20-2-2022
Convex Function
18-7-2021
The syllable
19-3-2022
دراسة مفصّلة: نُبذَةٌ مِنَ السياسَةِ الحُسَيْنيّة
30-8-2022
مفهوم انتقال الحرارة بالإشعاع عند هنري كافندش (القرن 19م)
2023-04-26
byname (n.)
2023-06-21

Growth from a Melt  
  
1029   09:18 صباحاً   date: 8-5-2017
Author : Donald A. Neamen
Book or Source : Semiconductor Physics and Devices
Page and Part : p 16


Read More
Date: 17-5-2017 1793
Date: 22-10-2020 1186
Date: 17-10-2020 1387

Growth from a Melt

A common technique for growing single-crystal materials is called the Czochralski method. In this technique, a small piece of single-crystal material, known as a seed, is brought into contact with the surface of the same material in liquid phase, and then slowly pulled from the melt. As the seed is slowly pulled, solidification occurs along the plane between the solid-liquid interface. Usually the crystal is also rotated slowly as it is being pulled, to provide a slight stirring action to the melt, resulting in a more uniform temperature. Controlled amounts of specific impurity atoms, such as boron or phosphorus, may be added to the melt so that the grown semiconductor crystal is intentionally doped with the impurity atom. Figure 1.1 shows a schematic of the Czochralski growth process and a silicon ingot or boule grown by this process.

Figure 1.1 (a) Model of a crystal puller and (b) photograph of a silicon wafer with an array of integrated circuits. The circuits are tested on the wafer then sawed apart into chips that are mounted into packages. (Photo courtesy of Intel Corporation.)

Some impurities may be present in the ingot that are undesirable. Zone refining is a common technique for purifying material. A high-temperature coil. or r-f induction coil, is slowly passed along the length of the boule. The temperature induced by the coil is high enough so that a thin layer of liquid is formed. At the solid-liquid interface, there is a distribution of impurities between the two phases. The parameter that describes this distribution is called the segregation coefficient: the ratio of the concentration of impurities in the solid to the concentration in the liquid. If the segregation coefficient is 0.1, for example, the concentration of impurities in the liquid is a factor of 10 greater than that in the solid. As the liquid zone moves through the material. the impurities are driven along with the liquid. After several passes of the r-f coil, most impurities are at the end of the bar, which can then be cut off. The moving molten zone, or the zone-refining technique, can result in considerable purification.

After the semiconductor is grown, the boule is mechanically trimmed to the proper diameter and a Rat is ground over the entire length of the boule to denote the crystal orientation. The Rat is perpendicular to the [110] direction or indicates the (110) plane. (See Figure 1.1b.) This then allows the individual chips to be fabricated along given crystal planes so that the chips can he sawed apart more easily. The boule is then sliced into wafers. The wafer must he thick enough to mechanically support itself. A mechanical two-sided lapping operation produces a Rat wafer of uniform thickness. Since the lapping procedure can leave a surface damaged and contaminated by the mechanical operation, the surface must be removed by chemical etching. The final step is polishing. This provides a smooth surface on which devices may be fabricated or further growth processes may be carried out. This final semiconductor wafer is called the substrate material.




هو مجموعة نظريات فيزيائية ظهرت في القرن العشرين، الهدف منها تفسير عدة ظواهر تختص بالجسيمات والذرة ، وقد قامت هذه النظريات بدمج الخاصية الموجية بالخاصية الجسيمية، مكونة ما يعرف بازدواجية الموجة والجسيم. ونظرا لأهميّة الكم في بناء ميكانيكا الكم ، يعود سبب تسميتها ، وهو ما يعرف بأنه مصطلح فيزيائي ، استخدم لوصف الكمية الأصغر من الطاقة التي يمكن أن يتم تبادلها فيما بين الجسيمات.



جاءت تسمية كلمة ليزر LASER من الأحرف الأولى لفكرة عمل الليزر والمتمثلة في الجملة التالية: Light Amplification by Stimulated Emission of Radiation وتعني تضخيم الضوء Light Amplification بواسطة الانبعاث المحفز Stimulated Emission للإشعاع الكهرومغناطيسي.Radiation وقد تنبأ بوجود الليزر العالم البرت انشتاين في 1917 حيث وضع الأساس النظري لعملية الانبعاث المحفز .stimulated emission



الفيزياء النووية هي أحد أقسام علم الفيزياء الذي يهتم بدراسة نواة الذرة التي تحوي البروتونات والنيوترونات والترابط فيما بينهما, بالإضافة إلى تفسير وتصنيف خصائص النواة.يظن الكثير أن الفيزياء النووية ظهرت مع بداية الفيزياء الحديثة ولكن في الحقيقة أنها ظهرت منذ اكتشاف الذرة و لكنها بدأت تتضح أكثر مع بداية ظهور عصر الفيزياء الحديثة. أصبحت الفيزياء النووية في هذه الأيام ضرورة من ضروريات العالم المتطور.