أجهزة أو أدوات لأشباه موصلات جديدة Novel semiconductor device

يطلق على اعتمادية المقاومة resistance لأي مادة (تبعا إلى دورات أو تدويم spin الالكترونات) في الحقل الخارجي مصطلح بالمقاومة المغناطيسية magnetoresistance وهذا التأثير يمكن تضخيمه بسهولة وعند ذلك يطلق عليه بالمقاومة المغناطيسية العملاقة (GMR : Giant Magneto-Resistance ) للأشياء والأجسام التي هي بحجم النانو .

مثال (CO-Cu-CO) واحدى نتائج تأثير GMR  هي الزيادة الكبيرة في خزن المعطيات وفي كثافة الأقراص الصلبة Hard disks مما يجعل الوصول إلى مدى الكيكابية gigabyte ممكنا والذي يسمى نفقيا tunneling والمقاومة المغناطيسية النفقية TMR: Tunneling Magneto Resistance تكون مماثلة للـ GMR وكلا التأثيرين يمكن أن يستخدما لتصنيع ذاكرة حاسوب رئيسية والتي يطلق عليها RAM .