تاريخ الفيزياء
علماء الفيزياء
الفيزياء الكلاسيكية
الميكانيك
الديناميكا الحرارية
الكهربائية والمغناطيسية
الكهربائية
المغناطيسية
الكهرومغناطيسية
علم البصريات
تاريخ علم البصريات
الضوء
مواضيع عامة في علم البصريات
الصوت
الفيزياء الحديثة
النظرية النسبية
النظرية النسبية الخاصة
النظرية النسبية العامة
مواضيع عامة في النظرية النسبية
ميكانيكا الكم
الفيزياء الذرية
الفيزياء الجزيئية
الفيزياء النووية
مواضيع عامة في الفيزياء النووية
النشاط الاشعاعي
فيزياء الحالة الصلبة
الموصلات
أشباه الموصلات
العوازل
مواضيع عامة في الفيزياء الصلبة
فيزياء الجوامد
الليزر
أنواع الليزر
بعض تطبيقات الليزر
مواضيع عامة في الليزر
علم الفلك
تاريخ وعلماء علم الفلك
الثقوب السوداء
المجموعة الشمسية
الشمس
كوكب عطارد
كوكب الزهرة
كوكب الأرض
كوكب المريخ
كوكب المشتري
كوكب زحل
كوكب أورانوس
كوكب نبتون
كوكب بلوتو
القمر
كواكب ومواضيع اخرى
مواضيع عامة في علم الفلك
النجوم
البلازما
الألكترونيات
خواص المادة
الطاقة البديلة
الطاقة الشمسية
مواضيع عامة في الطاقة البديلة
المد والجزر
فيزياء الجسيمات
الفيزياء والعلوم الأخرى
الفيزياء الكيميائية
الفيزياء الرياضية
الفيزياء الحيوية
الفيزياء العامة
مواضيع عامة في الفيزياء
تجارب فيزيائية
مصطلحات وتعاريف فيزيائية
وحدات القياس الفيزيائية
طرائف الفيزياء
مواضيع اخرى
ترانزستور الأثر المجالي
المؤلف:
د/محمد فاروق أحمد و د/محمد خضر كاتب
المصدر:
أسس الإلكترونيات
الجزء والصفحة:
199
23-9-2021
1622
ترانزستور الأثر المجالي
ترانزستور الأثر المجالي هو عبارة عن ترانزستور شبه موصل يتم التحكم في التيار المار خلاله بواسطة مجال كهربي. ويعرف في الوقت الحالي نوعان من هذه الترانزستورات وهما:
أ- ترانزستور الأثر المجالي ذو الوصلة (JFET) Junction FET
ب - ترانزسور الأثر المجالي ذو البوابة المعزولة Insulated-Gate FET ويعرف كذلك يإسم ترانزستور الأثر المجالي المعدني الاكسيدي شبه الموصل (MOSFET) .
ويتميز ترانزستور الأثر المجالي عن نظيره الذي سبق التعرف عليه بالآني :
أ - يتكون التيار المار خلاله من نوع واحد فقط من حاملات الشحنة (الكترونات أو ثقوب) لذا فإنه يعرف بالترانزستور أحادي القطب Unipolar transistor تمييزاً له عن الترانزستور ثناني القطب Bipolar transistor الذي يتكون التيار المار خلاله من كلا النوعين من الحاملات.
ب - مقاومة دخل عالية جداً تصل أحياناً الى عدة عشرات ميجا أوم وأكثر مما يجعله مشابهاً في هذا الشأن للصمامات المفرغة.
ج- مستوى ضوضاء منخفض جداً بالمقارنة بالترانزستور ثناني القطب.
د- سهولة التصنيع وصغر الحجم.
ومن أهم عيوب ترانزستور الأثر المجالي هو صغر ناتج ضرب معامل الكسب في إتساع الشريحة بالمقارنة بالترانزستور ثنائي القطب.
الاكثر قراءة في الألكترونيات
اخر الاخبار
اخبار العتبة العباسية المقدسة

الآخبار الصحية
