المرجع الالكتروني للمعلوماتية
المرجع الألكتروني للمعلوماتية

علم الفيزياء
عدد المواضيع في هذا القسم 11580 موضوعاً
الفيزياء الكلاسيكية
الفيزياء الحديثة
الفيزياء والعلوم الأخرى
مواضيع عامة في الفيزياء

Untitled Document
أبحث عن شيء أخر
غزوة الحديبية والهدنة بين النبي وقريش
2024-11-01
بعد الحديبية افتروا على النبي « صلى الله عليه وآله » أنه سحر
2024-11-01
المستغفرون بالاسحار
2024-11-01
المرابطة في انتظار الفرج
2024-11-01
النضوج الجنسي للماشية sexual maturity
2024-11-01
المخرجون من ديارهم في سبيل الله
2024-11-01

يوم الهرير
21-8-2016
كيف لم يدافع علي عليه السلام عن الزهراء عليها السلام
15-11-2016
وظائف الصورة الصحفية- 4- وظيفة بصرية
19/11/2022
الصناعة في اليابان
25-4-2021
مناهج البحث في جغرافية الخدمات - منهج النظم
10-1-2023
العباس بن عبد المطلب ( ت/ 32 هـ )
23-12-2015

DEPLETION VERSUS ENHANCEMENT  
  
2012   02:36 صباحاً   date: 23-10-2020
Author : S. Gibilisco
Book or Source : Physics Demystified
Page and Part : 420


Read More
Date: 8-3-2016 3839
Date: 24-10-2020 2019
Date: 22-10-2020 1373

DEPLETION VERSUS ENHANCEMENT

In a JFET, the channel conducts with zero bias, that is, when the potential difference between the gate and the source is zero. As the depletion region grows, charge carriers pass through a narrowed channel. This is known as depletion mode. A MOSFET can work in the depletion mode, too. Metal-oxide-semiconductor technology allows a second mode of operation.
An enhancement-mode MOSFET has a pinched-off channel at zero 
bias. It is necessary to apply a gate bias voltage EG to create a channel. If EG = 0, the drain current ID is zero when there is no signal input. The schematic symbols for n-channel and p-channel enhancement-mode devices are shown in Fig. 1. In schematic diagrams, they can be differentiated from depletion-mode devices by looking at the vertical lines inside the circles. Depletion-mode MOSFETs have solid vertical lines; enhancement-mode devices have broken vertical lines.

Fig. 1. (a) The symbol for an n-channel enhancementmode MOSFET. (b) The symbol for a p-channel enhancement-mode MOSFET




هو مجموعة نظريات فيزيائية ظهرت في القرن العشرين، الهدف منها تفسير عدة ظواهر تختص بالجسيمات والذرة ، وقد قامت هذه النظريات بدمج الخاصية الموجية بالخاصية الجسيمية، مكونة ما يعرف بازدواجية الموجة والجسيم. ونظرا لأهميّة الكم في بناء ميكانيكا الكم ، يعود سبب تسميتها ، وهو ما يعرف بأنه مصطلح فيزيائي ، استخدم لوصف الكمية الأصغر من الطاقة التي يمكن أن يتم تبادلها فيما بين الجسيمات.



جاءت تسمية كلمة ليزر LASER من الأحرف الأولى لفكرة عمل الليزر والمتمثلة في الجملة التالية: Light Amplification by Stimulated Emission of Radiation وتعني تضخيم الضوء Light Amplification بواسطة الانبعاث المحفز Stimulated Emission للإشعاع الكهرومغناطيسي.Radiation وقد تنبأ بوجود الليزر العالم البرت انشتاين في 1917 حيث وضع الأساس النظري لعملية الانبعاث المحفز .stimulated emission



الفيزياء النووية هي أحد أقسام علم الفيزياء الذي يهتم بدراسة نواة الذرة التي تحوي البروتونات والنيوترونات والترابط فيما بينهما, بالإضافة إلى تفسير وتصنيف خصائص النواة.يظن الكثير أن الفيزياء النووية ظهرت مع بداية الفيزياء الحديثة ولكن في الحقيقة أنها ظهرت منذ اكتشاف الذرة و لكنها بدأت تتضح أكثر مع بداية ظهور عصر الفيزياء الحديثة. أصبحت الفيزياء النووية في هذه الأيام ضرورة من ضروريات العالم المتطور.