
تاريخ الفيزياء

علماء الفيزياء


الفيزياء الكلاسيكية

الميكانيك

الديناميكا الحرارية


الكهربائية والمغناطيسية

الكهربائية

المغناطيسية

الكهرومغناطيسية


علم البصريات

تاريخ علم البصريات

الضوء

مواضيع عامة في علم البصريات

الصوت


الفيزياء الحديثة


النظرية النسبية

النظرية النسبية الخاصة

النظرية النسبية العامة

مواضيع عامة في النظرية النسبية

ميكانيكا الكم

الفيزياء الذرية

الفيزياء الجزيئية


الفيزياء النووية

مواضيع عامة في الفيزياء النووية

النشاط الاشعاعي


فيزياء الحالة الصلبة

الموصلات

أشباه الموصلات

العوازل

مواضيع عامة في الفيزياء الصلبة

فيزياء الجوامد


الليزر

أنواع الليزر

بعض تطبيقات الليزر

مواضيع عامة في الليزر


علم الفلك

تاريخ وعلماء علم الفلك

الثقوب السوداء


المجموعة الشمسية

الشمس

كوكب عطارد

كوكب الزهرة

كوكب الأرض

كوكب المريخ

كوكب المشتري

كوكب زحل

كوكب أورانوس

كوكب نبتون

كوكب بلوتو

القمر

كواكب ومواضيع اخرى

مواضيع عامة في علم الفلك

النجوم

البلازما

الألكترونيات

خواص المادة


الطاقة البديلة

الطاقة الشمسية

مواضيع عامة في الطاقة البديلة

المد والجزر

فيزياء الجسيمات


الفيزياء والعلوم الأخرى

الفيزياء الكيميائية

الفيزياء الرياضية

الفيزياء الحيوية

الفيزياء والفلسفة

الفيزياء العامة


مواضيع عامة في الفيزياء

تجارب فيزيائية

مصطلحات وتعاريف فيزيائية

وحدات القياس الفيزيائية

طرائف الفيزياء

مواضيع اخرى
الدوائر العملية لمصادر القدرة المنتظمة الدائرة رقم 3
المؤلف:
م. احمد عبد المتعال
المصدر:
الإلكترونيات الرقمية وتطبيقاتها العملية
الجزء والصفحة:
ص138
2026-05-09
38
الشكل (1) يعرض دائرة مصدر قدرة يعطى جهد خرج منظم يساوى V 12+، وتيار يصل إلى A5 مع وجود حماية ضد زيادة تيار الحمل عن A 5
عناصر الدائرة:
IC1 منظم جهد ثلاثي الأرجل طراز 7812 .
1 Qترانزستور PNP طراز 2955 MIE .
Q2 ترانزستور PNP طراز 32 TIP.
F1, F2 مصهرات حماية تعمل عند 500 mA.
T1 محول خفض V 18 / V 220 سعته VA 100.
B1 قنطرة سليكونية مربعة طراز BR6.
1C مكثف کیمیائی سعته HF 1000 وجهده V 25.
C2, C3مكثفات بوليستير سعتها NF 100
4 C مكثف كيميائي سعته μF 10 وجهد V 16 .
R1 مقاومة 102 وقدرتها W 10
R2 مقاومة Ω 0.12.
الشكل (1)
نظرية التشغيل: عند تيارات الحمل الأقل من mA 600 فإن فرق الجهد المتولد على أطراف المقاومة غير كاف لتحويل الترانزستور 2 لحالة الوصل ON، ولكن عند زيادة التيار عن mA600 فإن فرق الجهد على أطراف المقاومة R1 سيكون كافياً لتحويل Q1 الحالة الوصل، ويمـر الـتـيـار عـبـر الترانزستور Q1بدلاً من المرور عبر منظم الجهد IC1، وبالتالي يزداد التيار الذي نحصل عليه من الدائرة إلى A5.
وعندما يزداد التيار المسحوب عن A 5 فإن فرق الجهد المتولد على أطراف المقاومة R والتي قيمتها 0.12Ω سيكون كافياً لتحويل الترانزستور Q2 لحالة الوصل، فيعمل هذا الترانزستور على إحداث قصر بين باعث وقاعدة الترانزستور 1Q ، ويتحول هذا الترانزستور الحالة الفصل. وبهذه الطريقة نحصل على حماية ذاتية من ارتفاع تيار الحمل .
الاكثر قراءة في الألكترونيات
اخر الاخبار
اخبار العتبة العباسية المقدسة
الآخبار الصحية

قسم الشؤون الفكرية يصدر كتاباً يوثق تاريخ السدانة في العتبة العباسية المقدسة
"المهمة".. إصدار قصصي يوثّق القصص الفائزة في مسابقة فتوى الدفاع المقدسة للقصة القصيرة
(نوافذ).. إصدار أدبي يوثق القصص الفائزة في مسابقة الإمام العسكري (عليه السلام)